Nitrure de bore pyrolytique (PBN)
Le nitrure de bore pyrolytique (PBN) est un matériau céramique d'ultra-haute pureté, produit par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à haute température et sous vide, atteignant une pureté de 99,999 % (grade 5N). Son inertie chimique exceptionnelle et sa stabilité à haute température en font un choix idéal pour le traitement des semi-conducteurs, la croissance cristalline et les applications sous vide poussé. L'ultra-haute pureté du PBN garantit une contamination minimale, ce qui le rend essentiel pour les procédés MBE, MOCVD et autres procédés de fabrication de matériaux avancés. De plus, sa capacité à maintenir son intégrité structurelle dans des environnements extrêmes en fait un matériau de choix pour les creusets, les sources d'évaporation et les composants de précision dans les industries exigeantes..
Propriétés
Pureté ultra élevée (99,999 %, grade 5N).
Pas de dégazage à haute température.
Épaisseur uniforme pour des performances de chauffage constantes.
Haute stabilité thermique et résistance aux chocs thermiques.
Bonne intégrité mécanique, facile à nettoyer et réutilisable.
Hautement inerte chimiquement, résistant aux acides, aux alcalis et aux solvants à haute température.
Fiche de données
| même | Unité | Paramètres techniques |
| Pureté | % | chuuuut99.999 |
| Couleur | - | ivoire |
| Densité | g/cm³ | 1,95-2,22 |
| Constante de réseau | m | a: 2,5x10-10 c: 6,8x10-10 |
| Résistance à la traction | MPA | 40 |
| Résistance à la flexion | MPA | 80 |
| Conductivité thermique à 200 °C | W/mk | a:82,3 c:2,6 |
| Conductivité thermique à 900 °C | W/mk | a:55,3 c:2,8 |
| Coefficient de dilatation thermique | 10-6/K | 2(a) |
| Température maximale de travail @ Climatisation | °C | 900 |
| Température maximale de travail à vide | °C | 2000 |
| Température maximale de travail @ Protection contre les gaz inertes | °C | 2200 |
| Constante diélectrique (10 GHz) | - | a:5.2 c:3.8 |
| Rigidité diélectrique | KV/mm | 56 |
| Résistivité électrique | Ohm.cm | chuuuut1015 |
Applications
Creusets pour la croissance in situ de monocristaux semi-conducteurs III-V (GaAs, InP, GaP, etc.).
Creusets et nacelles pour la croissance de monocristaux et polycristaux III-V.
Creusets et sources d'évaporation pour l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et le traitement OLED.
Éléments chauffants et composants en graphite revêtus d'IPBN pour applications à haute température.
Composants isolants pour fours à vide à haute température.
Buses isolantes haute température.
Panneaux isolants PBN pour systèmes MOCVD.
Pièces d'isolation électrique haute température.
Creusets pour applications métallurgiques spécialisées.
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